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サイドメニュー１
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電磁場解析ソフトウェアPHOTO-WAVEjωを
使用し、図１のようなマイクロ波加熱装置で
マイクロ波加熱解析を行いました。
周波数は2.45GHzです。
解析モデルは発生する電磁場の対称性を
考慮し、１/２モデルとしました。
マイクロ波はTE10モードで、導波管から入射
しました。 |
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図１：マイクロ波加熱装置 |
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図２は加熱装置筐体内の電場分布です。
マイクロ波入射時における瞬時値です。 |
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図２：電場分布コンター図 （単位：V/m） |
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図３はトレーと被加熱体の電場分布です。
金属のトレーは完全導体と仮定しています
ので、 内部で電場は発生していません。
しかし、トレーの誘電体部分には電場が発生
しています。 |
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図３：電場分布コンター図 (空気以外) |
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図４は発熱密度分布です。
誘電体損失は複素誘電率の虚部に比例しま
す。
今回の解析で複素誘電率の虚部には、被加
熱体にトレーの誘電体部分よりも大きい値を
設定していますので、発熱密度は被加熱体
の方がトレーの誘電体部分より大きくなって
います。 |
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図４：発熱密度分布コンター図 (空気以外) |
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マイクロ波加熱シミュレーションの結果を利用すると、マイクロ波入口の形状寸法、 |
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位置を変えることにより、筐体内の電場分布あるいは被加熱体の発熱分布などが |
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どのように変化するのか確認することができます。 |
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筐体の形状も、例えば方形がよいのか、円筒形がよいのか検討し、目的にかなった |
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最適な設計を行うことができます。 |
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また、被加熱体が複数の場合、発熱総量が個別に計算できますので、発熱温度 |
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むらをなくすためにどのような配置にすれ ばよいのか、いくつかのケースでシミュ |
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レーションし、最適配置を検討することもできます。 |
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