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  5. マイクロストリップラインの解析事例

誘導加熱解析事例

電磁界 FDTD 過渡応答

マイクロストリップラインの解析

時間領域法による3次元高周波過渡応答解析ソフトウェアPHOTO-FDTD
を使用し、図1のようなマイクロストリップラインの電磁界解析を行いました。
マイクロストリップラインは誘電体の一面に導体箔を張りつけ、対抗する面
にライン状の導体を貼り付けた構造をしています。
電磁波がライン上を伝播することから主に高周波回路で利用されます。
図1に解析モデルを掲載します。緑色の部分が誘電体で比誘電率を
εr = 3 としています。
赤色の部分がマイクロストリップラインで、荷重条件から電場を 0 として
います。
実際はこの上に空気の領域を用意しています。
マイクロストリップラインの解析モデル

図1 : 解析モデル
図2に入力条件を設定した電磁波の入力部分の拡大図を示します。
黄色の点が入力部分でz方向に規格化した強さ1の電場を設定しま
した。

電場強度は以下のような関数でパルス状に与えています。
電場強度

ただし、t 0 = 3 x 10-11[s]、τ = 2 x 10-11[s] としました。
マイクロストリップラインの解析モデル

図 2 :電磁波入力部分拡大図
結果表示の例として、電場強度の時間的な変化をアニメーション化
してみました。
マイクロストリップラインの解析

図3:電場分布コンター図
(空気以外)

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