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誘導加熱解析事例

電磁界 FDTD 過渡応答

マイクロストリップラインの解析



時間領域法による3次元高周波過渡応答解析ソフト
ウェアPHOTO-FDTDを使用し、図1のようなマイクロ
ストリップラインの電磁界解析を行いました。
マイクロストリップラインは誘電体の一面に導体箔
を張りつけ、対抗する面にライン状の導体を貼り付
けた構造をしています。
電磁波がライン上を伝播することから主に高周波
回路で利用されます。
図1に解析モデルを掲載します。 緑色の部分が
誘電体で比誘電率を εr = 3 としています。
赤色の部分がマイクロストリップラインで、荷重条
件から電場を 0 としています。
実際はこの上に空気の領域を用意しています。
マイクロストリップラインの解析モデル

図1 : 解析モデル
図2に入力条件を設定した電磁波の入力部分の
拡大図を示します。
黄色の点が入力部分でz方向に規格化した強さ1
の電場を設定しました。

電場強度は以下のような関数でパルス状に与え
ています。
   電場強度

ただし、t 0 = 3 x 10-11[s]、
     τ = 2 x 10-11[s] としました。
マイクロストリップラインの解析モデル
図 2 :電磁波入力部分拡大図
結果表示の例として、電場強度の時間的
な変化をアニメーション化してみました。
マイクロストリップラインの解析
図3:電場分布コンター図 (空気以外)

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