RFID関連機器の高周波電磁界解析

RFID関連機器内の電磁波を電磁界解析ソフトウェア F-WAVEで評価解析を行ないました。

今回は、タグリーダのスリットからマイクロ波を放射した時に、通信可能距離がどの程度まで可能かシミュレーションしてみました。

導波管の外観は図１、図２の通りです。

解析モデルは発生する電磁界の対称性を考慮し、１/２モデルとしました。

図１　外観図

図２　開口部付近の拡大図

図３は導波管内部および開口部近傍の電界分布です。
マイクロ波入射時における瞬時値です。

図４は導波管内部および開口部近傍の磁束密度分布です。

図５は導波管の開口部の上側に10mm離れた付近の電界分布を表しているグラフです。

図６は導波管の開口部の上側に100mm離れた付近の電界分布を表しているグラフです。

今回は導波管のスリットの外側の電界分布を解析し、導波管の形状がタグとの通信に十分耐えうるかどうの確認を目的としました。
他にも、導波管の各ポート情報の確認、Ｓパラメータの計算によるマイクロ波の伝送特性の評価などを行うことができます。

この評価解析は高周波電磁界解析ソフトウェア F-WAVE で行いました。

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