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電磁界解析ソフトウェア F-WAVE

自然界の現象は様々な要素が複雑に組み合わされており、ひとつのテーマを解析する場合にも、そこには構造、伝熱、電磁場/電磁界、圧電、音響、熱流体など幾つかの解析対象が複合化されています。

電磁場/電磁界解析はその中の一つで、電磁現象をシミュレーションします。電磁現象は通常目で確認することはできませんが、対象をコンピュータ上でモデル化し、シミュレーションすることにより、可視化できるようになります。

電磁界は、それが電磁波として伝搬するかどうかで、高周波電磁界と低周波電磁界に分かれます。高周波電磁界は電磁波として伝搬し、磁界と電界にそれぞれの現象が分かれます。
ここでは、高周波電磁場/電磁界シミュレーション用ツールについて紹介いたします。

高周波電磁場/電磁界解析を行なう場合、どのように解析を進めればよいか迷うところです。生じている現象を分析し、どのような方法で解析すればよいか検討が必要です。

高周波電磁場/電磁界解析のコンシェルジュにつきましては こちらへ

[ F-WAVE ]はプリ・ポスト・プロセッサ [ Simcenter Femap ]と[電磁場/電磁界解析機能]を組合せた製品です。
[ Simcenter Femap ]は、有限要素法解析のための汎用CAEプリポストプロセッサです。
NASAが開発した有限要素法コードNASTRAN用のプリポストプロセッサとして1985年に生まれました。その後30年以上にわたり全世界の主要な産業で利用されています。

[ F-WAVE ] はCADデーターから自動的にメッシュモデルを作成し、必要な解析条件を設定すれば電磁界解析ができます。

[ F-WAVE ] では高機能プリ・ポストプロセッサ[ Simcenter Femap ] の持つ高機能なメッシュ機能により、かなりむずかしさを伴ういメッシュモデルでも電磁界解析ができます。
下の図は、厚さ[8μm]の誘電体上に厚さ[80nm]のラインが構成されているマイクロストリップラインモデルの電磁界解析事例です。
高機能なメッシュモデル作成機能により解析を可能としています。



マイクロストリップライン
電磁界解析ソフトウェア F-WAVE

マイクロストリップラインの電界分布
(f = 3GHz)

[F-WAVE] のプリ・プロセッサ [Simcenter Femap] には簡易版の3次元CAD機能がありますので、CADデーターが無くても、図面データからCADデーターを作成して磁界解析を行なうことができます。

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[F-WAVE] ができること:

  • * 入力条件:電場、電流、電流密度
  • * 解析結果:電界分布、磁界分布、ポインティングベクトル
  • * モードの自動入力:TE波、TM波、TEM波
  • * 入力値:振幅、周波数を変えて連続的に計算
  • * 出力電磁界:入力波、散乱波、合成波から選択
  • * インピーダンス境界:無反射境界を設定可
  • * 近傍の解析結果から遠方場を解析的に計算
  • * 複素誘電体を考慮した解析
  • * スミスチャートの作成
  • * スライドインターフェイス機能;解析対象を移動させながら解析
  • * 平行移動/回転移動:周期境界条件と反周期境界条件を定義可
  • * 導体表面の表面電流と電荷密度を出力

[ F-WAVE ]のコンシェルジュにつきましては こちらへ

[ F-WAVE ]の動作環境につきましては こちらへ

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