電磁波は、磁界と電界が相互に影響し合いながら伝搬しますが、その状態を表すものとしてマクスウェルの方程式があります。
高周波電磁界解析対象をコンピュータ上でモデル化してシミュレーションすれば、それらの法則が理解できるとともに、磁界・電界分布、更にはその他の電磁現象を把握できるようになります。
電磁界解析コンシェルジュはこちらこちらへ
[ F-WAVE ]はプリ・ポスト・プロセッサ [ Simcenter Femap ]と[電磁場/電磁界解析機能]を組合せた製品です。
[ Simcenter Femap ]は、有限要素法解析のための汎用CAEプリポストプロセッサです。
NASAが開発した有限要素法コードNASTRAN用のプリポストプロセッサとして1985年に生まれました。その後30年以上にわたり全世界の主要な産業で利用されています。
[ F-WAVE ]の解析事例はこちらへ
[ F-WAVE ] はCADデーターから自動的にメッシュモデルを作成し、必要な解析条件を設定すれば電磁界解析ができます。
[ F-WAVE ] では高機能プリ・ポストプロセッサ[ Simcenter Femap ] の持つ高機能なメッシュ機能により、かなりむずかしさを伴うメッシュモデルでも電磁界解析ができます。
下の図は、厚さ[8μm]の誘電体上に厚さ[80nm]のラインが構成されているマイクロストリップラインモデルの電磁界解析事例です。
高機能なメッシュモデル作成機能により解析を可能としています。
マイクロストリップライン |
マイクロストリップラインの電界分布 (f = 3GHz) |
[F-WAVE] のプリ・プロセッサ [Simcenter Femap] には簡易版の3次元CAD機能がありますので、CADデーターが無くても、図面データからCADデーターを作成して磁界解析を行なうことができます。
[F-WAVE] ができること:
*各種導波管の電磁界解析
- ・ 入力条件:電場
- ・ 解析結果:電界分布、磁界分布、ポインティングベクトル
* その他の機器の電磁界解析
- ・ 入力条件:電場
- ・ 解析結果:電界分布、磁界分布、ポインティングベクトル
* マイクロ波加熱解析
* その他の高周波電磁界解析
[ F-WAVE ]の製品仕様につきましては こちらへ
[ F-WAVE ]の動作環境につきましては こちらへ
ポリエチレン充填導波管の電磁界解析事例 |
方形導波管の電磁界解析事例 |
電子レンジのマイクロ波加熱解析事例 |
導体のマイクロ波加熱解析事例 |
マイクロ波加熱装置内の発熱分布解析事例 |
マジックT型導波管の電磁界解析事例 |
方向性結合器の電磁界解析事例 |
パッシブタグリーダの電磁波解析事例 |
円柱キャビティの電磁界解析事例 |
マイクロストリップラインの 電磁界解析事例 |
近接場光の解析事例 |
光の回折の解析事例 |