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電界 有限要素法 静解析

ヒータの電流分布解析事例

半導体製造装置内のヒータの電流分布解析

解析テーマ : ヒータの電流分布の評価解析

半導体製造装置内のヒータの電流分布解析

解析概要 : 厚さが [10μm] の薄膜上に、直径が [100μm] の2本の導電・円柱針を接触させ、この2本の針から直流電流を流入さた場合の

ウェーハ内の電流分布を解析しました。
2本の導電・円柱針は下図の位置で接触させました。

解析ツール :電界解析ソフトウェア F-VOLT

解析モデル概要

解析モデル概要

解析結果

電流分布コンター図 (単位:A/m2)

電流分布コンター図 (単位:A/m<sup>2</sup>)

モデル全体

導電・円柱針非表示

導電・円柱針非表示

導電・円柱針非表示(ZX断面)

導電・円柱針非表示(ZX断面)

薄膜

薄膜

薄膜 (ZX断面)

薄膜 (ZX断面)

シリコンウェハ

シリコンウェハ

シリコンウェハ(ZX断面)

シリコンウェハ(ZX断面)

この評価解析は電界解析ソフトウェア F-VOLT で行いました。

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